SI2327DS-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI2327DS-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI2327DS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI2327DS-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: -490mA Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 380mA Drain Source Voltage Vds: -200V Drain To Source Voltage (vdss): 200V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 12nC @ 10V ID_COMPONENTS: 2662076 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 510pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 2.45ohm Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?„?, SSD3, SST3 Power - Max: 750mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 2.35 Ohm @ 500mA, 10V Rds(on) Test Voltage Vgs: -6V Series: TrenchFET?® Threshold Voltage Vgs Typ: -4.5V Transistor Polarity: P Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4.5V @ 250?µA Other Names: SI2327DS-T1-GE3TR
• Количество страниц
  9 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2327DS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 160,89 KB